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钛酸钡半导瓷的PTC效应起因于粒界（晶粒间界）．对于导电电子来说，晶粒间界面相当于一个势垒．当温度低时，由于钛酸钡内电场的作用，导致电子极容易越过势垒，则电阻值较小．当温度升高到居里点温度（即临界温度）附近时，内电场受到破坏，它不能帮助导电电子越过势垒．这相当于势垒升高，电阻值突然增大，产生PTC效应．钛酸钡半导瓷的PTC效应的物理模型有海望表面势垒模型、丹尼尔斯等人的钡缺位模型和叠加势垒模型，它们分别从不同方面对PTC效应作出了合理解释．热敏电阻器的阻值随温度的变化而变化，因而使接在电桥对角线间的表头指示也相应变化。黄浦区温度控制热敏电阻规格尺寸

检测时，用万用表欧姆档（视标称电阻值确定档位，一般为R×1挡），具体可分两步操作：首先常温检测（室内温度接近25℃），用鳄鱼夹代替表笔分别夹住PTC热敏电阻的两引脚测出其实际阻值，并与标称阻值相对比，二者相差在±2Ω内即为正常。实际阻值若与标称阻值相差过大，则说明其性能不良或已损坏。其次加温检测，在常温测试正常的基础上，即可进行第二步测试—加温检测，将一热源（例如电烙铁）靠近热敏电阻对其加热，观察万用表示数。黄浦区温度控制热敏电阻规格尺寸半导体热敏电阻材料均具有非常大的电阻温度系数和高的电阻率，用其制成的传感器的灵敏度也相当高。

热敏电阻的技术参数：⑩比较高工作温度Tmax：在规定的技术条件下，热敏电阻器长期连续工作所允许的比较高温度。⑾开关温度tb:PTC热敏电阻器的电阻值开始发生跃增时的温度。⑿耗散系数H：温度增加1℃时，热敏电阻器所耗散的功率，单位为mW/℃。

热敏电阻的主要缺点：热敏电阻①阻值与温度的关系非线性严重；②元件的一致性差，互换性差；③元件易老化，稳定性较差；④除特殊高温热敏电阻外，绝大多数热敏电阻*适合0～150℃范围，使用时必须注意。

BT=CT2+DT+E，上式中，C、D、E为常数。另外，因生产条件不同造成的B值的波动会引起常数E发生变化，但常数C、D不变。因此，在探讨B值的波动量时，只需考虑常数E即可。常数C、D、E的计算，常数C、D、E可由4点的（温度、电阻值）数据（T0,R0).(T1,R1）.(T2,R2）and(T3,R3），通过式3～6计算。首先由式样3根据T0和T1,T2,T3的电阻值求出B1,B2,B3，然后代入以下各式样。

电阻值计算例：试根据电阻－温度特性表，求25°C时的电阻值为5(kΩ），B值偏差为50(K）的热敏电阻在10°C～30°C的电阻值。步骤（1）根据电阻－温度特性表，求常数C、D、E。To=25+273.15T1=10+273.15T2=20+273.15T3=30+273.15（2）代入BT=CT2+DT+E+50，求BT。（3）将数值代入R=5exp {(BT1/T-1/298.15）}，求R。*T:10+273.15～30+273.15。 上海恒温加热热敏电阻解决方案。

半导体热敏电阻材料 这类材料有单晶半导体、多晶半导体、玻璃半导体、有机半导体以及金属氧化物等。它们均具有非常大的电阻温度系数和高的龟阻率，用其制成的传感器的灵敏度也相当高。按电阻温度系数也可分为负电阻温度系数材料和正电阻温度系数材料.在有限的温度范围内，负电阻温度系数材料a可达-6*10-2/℃，正电阻温度系数材料a可高达-60*10-2/℃以上。如饮酸钡陶瓷就是一种理想的正电阻温度系数的半导体材料。上述两种材料均***用于温度测量、温度控制、温度补瞬、开关电路、过载保护以及时间延迟等方面，如分别用子制作热敏电阻温度计、热敏电阻开关和热敏电阻温度计、热敏电阻开关和热敏电阻延迟继电错等 [1] 。 这类材料由于电阻和流度呈指数关系，因此测温范围狭窄、均匀性也差嘉定区恒温加热热敏电阻厂家报价。嘉定区恒温加热热敏电阻厂家

热敏电阻器温度计的精度可以达到0.1℃，感温时间可少至10s以下。黄浦区温度控制热敏电阻规格尺寸

热敏电阻分类：

PTC（Positive Temperature CoeffiCient）是指在某一温度下电阻急剧增加、具有正温度系数的热敏电阻现象或材料，可专门用作恒定温度传感器．该材料是以BaTiO3或SrTiO3或PbTiO3为主要成分的烧结体，其中掺入微量的Nb、Ta、 Bi、 Sb、Y、La等氧化物进行原子价控制而使之半导化，常将这种半导体化的BaTiO3等材料简称为半导（体）瓷；同时还添加增大其正电阻温度系数的Mn、Fe、Cu、Cr的氧化物和起其他作用的添加物，采用一般陶瓷工艺成形、高温烧结而使钛酸铂等及其固溶体半导化，从而得到正特性的热敏电阻材料．其温度系数及居里点温度随组分及烧结条件（尤其是冷却温度）不同而变化． 黄浦区温度控制热敏电阻规格尺寸

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